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Samsung : 990 evo plus pcie 4.0 x4 / 5.0 x2 nvme2.0 4tb
Samsung : 990 EVO PLUS PCIE 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME2.0 4TB
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Samsung : 990 EVO PLUS PCIE 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME2.0 4TB

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0

Réf. Samsung :
SKU IM-CL64539
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Descriptif
Samsung : 990 EVO PLUS PCIE 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME2.0 4TB

Fiche technique
Samsung : 990 EVO PLUS PCIE 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME2.0 4TB

CNET Content Solutions – 12-01-2025 22:24

Samsung
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0
Samsung : 990 EVO PLUS PCIE 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME2.0 4TB
 
Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité. Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.

PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES
Description du produit
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 To - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
4 To
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
3 bits par cellule (TLC)
Format
M.2 2280
Interface
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caractéristiques
Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Dimensions (LxPxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids
9 g
Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans

Garantie

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